| 专利名称 | 用于制造碳化硅的方法 | 申请号 | CN200980128538.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102099289A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所;英国石油有限公司 | 发明（设计）人 | D·马;L·古;X·鲍;W·沈 | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/36(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I | 专利有效期 | 用于制造碳化硅的方法 至用于制造碳化硅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 制造多孔碳化硅的方法，包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合，并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物，其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。 |
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