| 专利名称 | 一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法 | 申请号 | CN200910112948.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102094182A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 黄丰;林璋;湛智兵 | 主分类号 | C23C14/58(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法 至一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法。对于磁控溅射制备的不稳定AZO薄膜，采用Zn气氛退火的方法来改善薄膜的导电性和稳定性。将薄膜和金属Zn粒一起密封于真空容器中，加热到一定的温度并维持一定的时间，使Zn原子填入到薄膜的Zn空位处，从而同时提高薄膜迁移率和载流子浓度。经本方法处理过的AZO薄膜拥有1.5×10-4(Ωcm)的低电阻率，将其分别置于室温和100℃的空气中，在长达三个月的时间里，电阻率没有变化。本方法极大地提高了AZO薄膜的导电性和稳定性，对AZO薄膜的在实际中的广泛使用能产生重要的影响。 |
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