| 专利名称 | 一种相变存储材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010619510.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102142518A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李学来;饶峰;宋志棠;任堃;吴良才;刘波;刘卫丽 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储材料及其制备方法 至一种相变存储材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种相变存储材料及其制备方法，该相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为AlxSb1-x，其中0 |
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