| 专利名称 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 | 申请号 | CN201110054601.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102140689A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽 | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 至一种生长蓝宝石晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种生长蓝宝石晶体的方法，为定向凝固下降法，即，在蓝宝石晶体生长初期，从熔体底部以定向凝固法生长，温场均匀降温，生长固液界面自下而上移动，晶体逐渐生长；在蓝宝石晶体生长中后期，启动下降机构，坩埚以一定速率均匀下降；晶体生长结束，缓慢降温至室温，取出晶体。本发明的定向凝固下降法生长技术成功地结合了定向凝固法和下降法生长技术，有效继承了两者的优点，却又显著改善了这两种生长技术的缺点，该生长技术不仅能生长出大尺寸、高质量的LED衬底用蓝宝石晶体材料，同时也提高了蓝宝石晶体的生长成品率、降低了蓝宝石晶体的生长成本。 |
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