| 专利名称 | 无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法 | 申请号 | CN201010104974.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102140030A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李江涛;邱军付 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I | 专利有效期 | 无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法 至无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅泡沫陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于无机非金属材料领域，涉及一种无需烧结制备高气孔率纳米晶碳化硅(SiC)泡沫陶瓷的方法。本发明的方法，是以工业用高纯硅粉和乙炔碳黑为原料，采用颗粒稳定泡沫技术和凝胶注模成型技术相结合制备Si-C泡沫，将制得的Si-C泡沫在燃烧合成反应釜中进行燃烧合成反应制备SiC泡沫陶瓷，以高纯氮气为Si-C泡沫燃烧合成的反应气氛。本发明的制备SiC泡沫陶瓷的方法简单易行，无需常规制备泡沫陶瓷所必需的高温烧结步骤。本发明同时可以制备大尺寸、复杂形状的SiC泡沫陶瓷。 |
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