| 专利名称 | 用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法 | 申请号 | CN201010106789.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102139855A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹立新;李位勇;韩烨;许波;赵柏儒 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法 至用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬臂梁的正下方；4)利用步骤2)制备的掩膜，从晶片正面利用各向异性干法刻蚀刻穿硅晶片；5)利用步骤2)制备的掩膜，从正面利用各向同性干法刻蚀悬臂梁下方的硅，并在缓冲氢氟酸中去除氧化硅以释放悬臂梁。本发明各步骤采用的都是通常的微纳机电系统的加工方法，可靠性高，成品率高、加工精度高、能够精确制备各种形状和尺寸的悬臂梁结构，并且可适用于各种不同取向的晶片，易于产业化。 |
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