| 专利名称 | 高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法 | 申请号 | CN200810037779.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101284731 | 公开（授权）日 | 2008.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 郑嘹赢;李国荣;李艳艳;冷森林;王天宝;曾江涛;殷庆瑞 | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/462(2006.01)I | 专利有效期 | 高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法 至高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料，属于无铅 半导体材料领域。该材料的组成通式为：(Na0.5Bi0.5)x1(Ba1-x1-x2Lnx2) Ti1-yMyO3+zmol％N。其中0＜x1＜0.5；0＜x2＜0.1；0＜y＜0.1；0≤z≤1；Ln为Sr、Ca、Y、 La中的一种或者多种；M为Nb、Ta、Sb的一种或者多种；N为MnO2、Al2O3、 SiO2、TiO2的一种或者多种。本发明的高使用温度、无铅PTCR材料使用温度 高于130℃，电阻突跳比(最大电阻与最小电阻比)：100-100000，常温电阻率 小于800Ω.cm，在最高电阻的温度与该最高温度以上50℃的温度区间内电阻变 化率小于15％，瓷体总体铅含量小于50ppm。可用于制成各类温度传感器、定 温发热体、限流器、延时器等，广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、 家用电器等领域。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障