| 专利名称 | 抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置 | 申请号 | CN200810055787.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101281849 | 公开（授权）日 | 2008.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 丁耀根;孙小欣;张永清;丁海兵;沈斌 | 主分类号 | H01J23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/00(2006.01)I;H01J25/10(2006.01)I | 专利有效期 | 抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置 至抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置，是用 具有设定介电常数和介电损耗的电吸收材料组成的。通过选择该装置的材 料参数，形状和尺寸、以及放置位置和连接方法可以有效地抑制多注速调 管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模的振荡，降低由 该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速 调管能够抑制高次模式振荡，降低杂谱电平。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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