| 专利名称 | 基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法 | 申请号 | CN200810097898.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101281154 | 公开（授权）日 | 2008.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 孟凡利;刘锦淮;李民强;陈燕;贾勇;罗涛 | 主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | 专利有效期 | 基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法 至基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了基于碳纳米管阵列的电容式气体传感器及其制备方 法。在碳纳米管阵列的上下两端分别置有一块平板电极构成电容式气体 传感器结构，通过化学气相沉积的方法在阳极氧化铝模板中制备的碳纳 米管阵列作为两平板电极的支撑结构，使得两块平板电极之间具有微米 级的间距，流过电容传感器两平板电极间气体介电常数的变化由传感器 的电容变化量反映出来，可以据此判断被测气体的种类。本发明克服了 现有气体传感器的不足之处，有效缩短了电容传感器两平板间距，提高 了传感器对气体检测的灵敏度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障