| 专利名称 | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN200710064857.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276836 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春 | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 至一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特 征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道 结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单 电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光 刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d) 光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g) 蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子 线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。 |
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