| 专利名称 | 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 | 申请号 | CN200710064870.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276788 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曾传滨;李多力;李晶;海潮和;韩郑生 | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 至一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护性 能的方法，该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入，改变SOI电路 的ESD击穿电压，并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条之 间在ESD电压到来时同时开启，同时通过击穿时产生的电流抬升体区电 位，促进寄生在MOS管里的BJT泻放电流。利用本发明，解决了在SOI 电路中使用常规在接触孔下注入方法所带来的注入杂质被漏端杂质包住 或被漏/漏端下方的衬底形成的耗尽区包住的问题。本发明将注入移到体 区，一方面可以很好地降低击穿电压，另一方面电流能很好地导入到体区， 改善器件及整个电路的抗ESD能力。 |
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