| 专利名称 | 一种制作晶体管T型纳米栅的方法 | 申请号 | CN200710064866.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276751 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘亮;张海英;刘训春 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作晶体管T型纳米栅的方法 至一种制作晶体管T型纳米栅的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗 干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前 烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、 在第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子 束胶，然后前烘；D、在第三层电子束胶上匀第四层电子束胶UVIII，然 后前烘；E、进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子束胶UVIII和 易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶；F、进行栅脚版电子束曝光，依 次显影第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束 胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本 发明，容易制作出极小尺寸的栅线条，大大减小了工艺难度。 |
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