| 专利名称 | 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法 | 申请号 | CN200710064853.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276749 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘亮;张海英;刘训春 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法 至采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方 法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离 的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电 子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀 一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D、在所述第三 层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅版电子 束曝光；F、依次显影第四层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的 第三层电子束胶，第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第 一层电子束胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米 栅。利用本发明，可靠性强，工艺简单，剥离和去胶容易。 |
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