一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关

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专利名称 一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关 申请号 CN200710064876.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101276705 公开(授权)日 2008.10.01 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 李全宝;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 主分类号 H01H51/01(2006.01)I IPC主分类号 H01H51/01(2006.01)I;H01H51/22(2006.01)I 专利有效期 一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关 至一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关 法律状态 授权 说明书摘要 本发明涉及射频微机电系统技术领域,公开了一种双稳态单晶硅梁射 频微机电系统开关,该射频微机电系统开关包括电磁驱动部分和悬臂梁可 动部分,电磁驱动部分和悬臂梁可动部分采用对准键合方式结合在一起; 电磁驱动部分具有铁心铁壳和永磁体,通过在平面线圈加电流产生的磁场 与永磁体的磁场相叠加来改变整体磁场的方向,从而使悬臂梁可动部分动 作,实现触点通断。利用本发明,该射频微机电系统开关工作电压比较低, 驱动力大,工作次数高,功耗比较低,接触电阻小隔离度高,控制电路简 单,适用于较大功率射频通讯电路。

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