| 专利名称 | 微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法 | 申请号 | CN200710064865.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101276020 | 公开（授权）日 | 2008.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 欧毅;陈大鹏;孙雨南;崔芳;董立军;刘辉;韩劲东 | 主分类号 | G02B6/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/12(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法 至微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备微电子机械系统光学解复用器芯片的方法，包 括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；光刻第一版上电极图 形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到上电极图形；光刻第二版上电极图形； 将氮化硅薄膜刻透；在第一片硅衬底的背面第三版光刻出背面的腐蚀窗口 图形；在腐蚀窗口图形上涂光学光刻胶，将背面氮化硅薄膜刻透；将第一 片硅衬底置于氢氧化钾溶液进行腐蚀，去除上反射镜下的多余部分的硅衬 底；在第二片硅衬底上光刻第四版下电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离 后得到下电极图形；将第一片和第二片硅衬底进行对准键和，划片并焊接 引线。利用本发明，降低了制备成本，使微电子机械系统光学解复用器芯 片得以广泛推广和应用。 |
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