| 专利名称 | 一种具有静电防护结构的集成电路 | 申请号 | CN200710064597.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101272050 | 公开（授权）日 | 2008.09.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;孙嘉斌 | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H02H9/00(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有静电防护结构的集成电路 至一种具有静电防护结构的集成电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种具有静电防护结构的集成电路，包括：输入端口 ESD保护单元、输出端口ESD保护单元、内核电源ESD保护单元、I/O 电源ESD保护单元、输入/输出双向端口ESD保护单元、内核逻辑单 元。相对于传统的静电放电防护电路及方法，本发明提出的技术方案， 针对在可编程逻辑器件中大量采用的双向输入/输出端口，采用了专 门的静电放电防护电路结构。在这个基础上，本发明进一步提出了兼 容双向输入/输出端口的集成电路静电放电防护电路结构，大大提高 了整个芯片对静电放电的防护能力，能够有效地改善静电放电烧毁芯 片所带来芯片可靠性的问题。 |
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