| 专利名称 | 互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路 | 申请号 | CN200710064599.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101271142 | 公开（授权）日 | 2008.09.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;崔国平 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R19/04(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路 至互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于互补金属氧化物半导体技术领域，公开一种互补金属 氧化物半导体单片集成的峰值检测电路，包括：峰值点寻找电路，用 于在输入正弦波信号A的峰值点时刻产生一个上升沿信号；峰值点 放电电路，用于在输入正弦波信号峰值点处产生一个放电波形信号 E；数字逻辑，由数字分频信号G和数字波形信号F控制对外部时钟 输入I的时间间隔计数，产生一个表征时间间隔的数字输出信号H。 本发明的电路只针对峰值点进行采样，简化了采样电路的要求。利用 电压-时间转换(或电压到占空比转换)，本发明的电路分辨率受计 数时钟频率控制，因此比普通的同等位数模数转换器分辨率高很多。 本发明降低了体积功耗，以及满足传感器和电路集成的需要。 |
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