| 专利名称 | 一种管状相变存储器单元结构及制作方法 | 申请号 | CN200810034940.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101267017 | 公开（授权）日 | 2008.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 凌云;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种管状相变存储器单元结构及制作方法 至一种管状相变存储器单元结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器 单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变 材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中 通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层 作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上 下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。 本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保 持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障