| 专利名称 | 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 申请号 | CN200710064383.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101266999 | 公开（授权）日 | 2008.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;马志勇;冉学军;肖红领;王翠梅;胡国新;唐健;罗卫军 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 至氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括： 一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的 上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意 掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮 化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化 铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻 层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意 掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上 面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层 制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意 掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在 氮化铝第二插入薄层的上面。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障