| 专利名称 | 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 申请号 | CN201110267894.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102304763A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘兴昉;郑柳;董林;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 至连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定托盘位于主腔室内，在可动托盘的上方；一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室提供样品，该第一辅助腔室位于主腔室的一侧，与主腔室连通，在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门；一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境，并在该环境下向所述主腔室取出样品，该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧，与主腔室连通，在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门；其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。 |
1、源头对接，价格透明
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