| 专利名称 | 一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201110263591.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102306664A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法 至一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；金属背电极位于硅衬底的背面，发射极位于硅衬底上，黑硅层位于发射极上，钝化层位于黑硅层上，金属栅线电极位于钝化层上。所述制备方法包括：在硅衬底的背面制备金属背电极；在硅衬底表面制备发射极；在发射极上制备黑硅层；在黑硅层上制备钝化层；在钝化层制备金属栅线电极；烧结硅衬底。本发明提供的太阳能电池结构能够有效提高pn结掺杂分布的均匀性，提高了太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的效率。 |
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