| 专利名称 | 一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201110287076.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102304700A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘键;饶志鹏;万军;夏洋;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;H01L21/365(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法 至一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氧化锌制备的技术领域，具体涉及一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法。所述制备方法，包括：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体，含锌源气体中的锌原子吸附在硅衬底上；以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气，同时进行等离子体放电；向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，未与氮原子反应的锌原子与含氧源中的氧原子形成锌氧键；重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的氧化锌薄膜。本发明利用ALD设备对氧化锌薄膜进行氮掺杂，该方法简单易行，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中掺杂氮原子，使得掺杂后的薄膜结构完整，性能显著。 |
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