| 专利名称 | 砷化镓衬底改进的快速减薄方法 | 申请号 | CN201010577694.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543665A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 砷化镓衬底改进的快速减薄方法 至砷化镓衬底改进的快速减薄方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60?m的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50?m，公差小于±1?m，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。 |
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