| 专利名称 | 一类可交联的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201110450006.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102532492A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 侯剑辉;钱德平 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一类可交联的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物及其制备方法与应用 至一类可交联的噻吩并[3,4-b]噻吩共轭聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种含交联基团的噻吩并[3，4-b]噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构式如式I所示，式I中R1是在紫外光照或加热或存在引发剂的条件下可交联的官能团，R2是在紫外光照或加热或存在引发剂的条件下可交联的官能团，或是与R1不同的不可交联的取代基；Ar1、Ar2是相同的或不相同的具有共轭特征的单元；X1、X2均选自下述基团中的任意一种：H，F，Cl，Br，氰基，酯基；a/(a+b)是0-1的任意值且a/(a+b)不为0；n代表聚合物主链单元的重复个数，其数值是大于等于4的自然数。本发明提供的聚合物具有较窄的带隙，并能通过交联提高该共轭聚合物的抗溶剂性，这种聚合物在光电功能器件，特别是聚合物太阳能电池领域有着广阔的应用前景。(式I) |
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