| 专利名称 | 一种晶体硅太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201110008571.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102122674A | 公开（授权）日 | 2011.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 褚君浩;窦亚楠;何悦;王建禄;马晓光 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体硅太阳电池及其制备方法 至一种晶体硅太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧化硅层和第二非晶氧化铝层，p型基底与背电极接触。其制备方法包括复合钝化介质层的特殊制备，本发明采用硝酸和双氧水溶液处理p型基底表面，溶胶-凝胶工艺制备第二非晶氧化铝层，退火后形成复合钝化介质层(4)。本发明具有工艺简单，设备投资低，前表面钝化和抗反射性能好，背表面复合钝化介质层钝化效果优异并能提高长波利用效率等优点。 |
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