| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010033874.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102122658A | 公开（授权）日 | 2011.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其形成方法 至半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底中的器件区和STI区，其中，所述STI区从所述硅衬底的底部刻蚀并填充形成以避免出现缺角，且所述STI区中填充有介质材料；形成在所述硅衬底中且位于所述器件区和STI区之下的介质层，其中，所述介质层之下还形成有硅衬底。本发明通过从衬底的底部刻蚀并填充STI区，使得形成的STI区和器件区之间没有缺角，从而显著提高器件的性能。 |
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