| 专利名称 | 一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法 | 申请号 | CN201010586837.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102120313A | 公开（授权）日 | 2011.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 施春燕;袁家虎;伍凡;万勇建;范斌;雷柏平 | 主分类号 | B24C1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B24C1/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法 至一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法，利用射流抛光系统，检测待抛光工件抛光前的面形数据；待抛光工件置放于盛满抛光液的容器中；调节喷嘴的出口与待抛光工件的表面之间的距离，使喷嘴的出口淹没在抛光液中；在单位时间内，利用喷嘴定点对待抛光工件进行全淹没射流抛光，得到去除待抛光工件材料的去除量分布；利用干涉仪检测单位时间内喷嘴在定点抛光区域去除待抛光工件材料的去除量分布，生成抛光去除材料后的待抛光工件的面形数据，利用计算单元将待抛光工件的抛光前的面形数据减去抛光去除材料后待抛光工件的面形，获得显示材料去除函数的优化分布。 |
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