| 专利名称 | 一种具有体接触结构的PD SOI器件 | 申请号 | CN201010225638.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101931008A | 公开（授权）日 | 2010.12.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;肖德元;王曦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有体接触结构的PD SOI器件 至一种具有体接触结构的PD SOI器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有体接触结构的PD?SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。该器件的体接触制作在源区与栅极引出的交界处，在有效抑制浮体效应的同时，还具有不会增加芯片面积，消除了传统体接触结构增加芯片面积的缺点，并具有制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障