| 专利名称 | 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 | 申请号 | CN200910087807.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101930979A | 公开（授权）日 | 2010.12.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 至控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。制造方法是在NMOS和PMOS器件区域的高k栅介质层内部分别沉积极薄金属层，利用该极薄金属层在高k栅介质层内部形成的正或负电荷来调整器件的平带电压，进而控制器件的阈值电压。利用本发明，不仅可以增强CMOS器件中高k栅介质和SiO2界面层间的界面偶极子，而且还可以很好的控制高k栅介质层内部的固定电荷类型和数量，有效地控制器件的阈值电压。 |
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