| 专利名称 | 高质量碳化硅表面的获得方法 | 申请号 | CN201010588043.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534808A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;黄青松;郭丽伟;王锡铭;郑红军 | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/12(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 高质量碳化硅表面的获得方法 至高质量碳化硅表面的获得方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是在碳化硅单晶表面形成原子级台阶的一种方法。将基本的平表面经研磨或抛光后，暴露在氢气下保温。流动的氢气在与碳坩埚反应的同时，也对样品进行氢蚀，直至消除表面因机械加工而引起的损伤和划痕。进一步的氢蚀会在表面形成原子级平整度的周期性台阶。与其它侵蚀方法不同，这种氢蚀方法得到的样品表面异常干净，既不会有剩余碳的沉积，也不会有剩余硅的颗粒。通过调节氢蚀温度和氢气压力，从根本上克服了高温氢蚀时，碳和硅消耗速度的差异，而且由于不涉及机械加工，不会进一步显著引起新的表面损伤。 |
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