| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110339415.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094338A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;罗军;赵超;刘洪刚;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；在源极区与沟道区之间存在隧穿势垒结构。 |
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