| 专利名称 | MOS晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201010606316.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569391A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于伟泽;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | MOS晶体管及其制作方法 至MOS晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。所述MOS晶体管的沟道漏端具有异质区，异质区为介电常数比沟道其他区域大的半导体材料，由于异质区位于漏端，使得漏端电场相对降低，源端电场相对增强，相对于传统的非对称沟道MOS晶体管进一步增加了源端的载流子迁移率，从而能够提高器件的驱动电流，而且漏端较低的横向电场能够进一步防止漏端击穿现象发生。 |
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