| 专利名称 | 一种高迁移率衬底结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010578522.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569364A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙兵;刘洪刚 | 主分类号 | H01L29/267(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/267(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高迁移率衬底结构及其制备方法 至一种高迁移率衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高迁移率衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成，提高性能，减小功耗。 |
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