| 专利名称 | 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀 | 申请号 | CN201010588030.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569055A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;黄青松;王波;王锡铭;李龙远;郑红军;郭钰 | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀 至一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到TTV＜0.5微米(μm)、Bow＜0.1μm?Warp＜0.1μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。 |
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