| 专利名称 | 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210033517.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102568815A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵建华;朱礼军 | 主分类号 | H01F41/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F41/14(2006.01)I | 专利有效期 | 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 至具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层。通过以上方法制备的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜，其具有超大矫顽力、超高垂直磁各向异性和超高磁能积，同时具有工艺简单、易于集成、且不含贵金属又不含稀土元素等优点。 |
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