| 专利名称 | 一种基于激光直写金属薄膜线性可控制备纳米点阵的方法 | 申请号 | CN200910088086.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101935014A | 公开（授权）日 | 2011.01.05 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 王永胜;刘前;曹四海;郭传飞;苗俊杰;田野 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于激光直写金属薄膜线性可控制备纳米点阵的方法 至一种基于激光直写金属薄膜线性可控制备纳米点阵的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于激光直写金属薄膜可控制备纳米点阵的方法，其包括采用在衬底上沉积金属膜层，膜厚控制在5nm～200nm；使用激光直写系统，经过系统光路聚焦，在沉积得到的金属膜层上进行刻写；充分利用激光光束的高斯分布特性和膜层材料与激光光束作用时的非线性特征，优化膜层厚度和刻写激光的脉宽和离焦量，改变刻写功率，从而实现大面积纳米点阵的制备。本发明的方法制备的纳米点阵具有分辨率可达20nm，同时刻写功率与点阵孔径线性可控的特点。 |
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