| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201090000796.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202930362U | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种具有双接触孔的半导体器件及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底(200)上形成源极/漏极区域(210)和替代栅结构；沉积第一层间介电层(280)；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的替代栅；去除替代栅，并沉积形成金属栅(220)；在第一层间介电层中形成第一源/漏区接触孔(240)；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层(380)；在第二层间介电层中形成第二源/漏区接触孔(340)和栅区接触孔(330)。 |
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