| 专利名称 | 电可调谐光栅耦合器 | 申请号 | CN201210012013.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102565955A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈弘达;张赞允;黄北举;张赞 | 主分类号 | G02B6/34(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/34(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I | 专利有效期 | 电可调谐光栅耦合器 至电可调谐光栅耦合器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。 |
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