| 专利名称 | BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途 | 申请号 | CN201110319535.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103060917A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 姚吉勇;尹文龙;冯凯;梅大江;傅佩珍;吴以成 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;C01B33/00(2006.01)I | 专利有效期 | BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途 至BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa2SiS6化合物采用固相反应制备；BaGa2SiS6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该BaGa2SiS6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa2SiS6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa2SiS6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。 |
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