| 专利名称 | 半导体场效应结构、及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201010593484.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544093A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡凤霞;王晶;陈岭;沈保根;孙继荣 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体场效应结构、及其制备方法和用途 至半导体场效应结构、及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种以驰豫型铁电单晶基片PMN-PT为栅极和形成于该单晶基片上的四价阳离子掺杂的钙钛矿锰氧化物为沟道的半导体场效应结构，及其制备方法和用途。由于驰豫型铁电单晶PMN-PT具有显著的逆压电效应，偏置电场诱导的极化和应变效应共同作用的结果可使生长在其上的沟道电阻发生显著改变，从而获得具有显著磁场、电场可调节特性的新型功能场效应结构。同时，由于四价阳离子掺杂的钙钛矿锰氧化物具有n型导电性质，能带结构不同于p型，以其为沟道的场效应结构表现出全新的场效应特征。 |
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