| 专利名称 | 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法 | 申请号 | CN201210033017.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102545054A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;王伟;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法 至制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层；将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；退火。 |
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