| 专利名称 | MOS晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201010606342.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544095A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于伟泽;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | MOS晶体管及其制作方法 至MOS晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。本发明提供的MOS晶体管及其制作方法中，所述栅极为非对称的结构，即仅位于栅沟槽内靠近源区一侧，在制作过程中，利用非对称的栅极作为掩膜，可以形成非对称的LDD区，省去了一道光刻工艺，能够降低制作成本，而且也可以缩小器件所占面积，有利于提高晶体管的集成度。 |
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