| 专利名称 | 一种提高维持电压的方法 | 申请号 | CN201210048324.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543999A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;曾传滨 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高维持电压的方法 至一种提高维持电压的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 公开了一种提高维持电压的方法，包括：首先利用绝缘层上硅工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件；然后在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高维持电压的方法，利用SOI工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件，在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。此高维持电压可控硅作为静电保护器件应用在静电防护领域，具有优异的静电保护性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障