| 专利名称 | 一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201010165568.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101852763A | 公开（授权）日 | 2010.10.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王亦;潘革波;崔铮 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法 至一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的单壁或多壁碳纳米管薄膜，或以上两种材料混合制成的薄膜。碳纳米管的理想结构大大降低了载流子非弹性背散射，特别是其室温声学声子所对应的平均自由程达到了微米量级，光学声子的平均自由程也到了几十纳米，可以达到目前场效应晶体管的尺度，碳纳米管作为理想的有源层材料被植入场效应晶体管。本发明将具有手性选择性的基团修饰到碳纳米管上，通过与待检测的手性物质结合，使得场效应晶体管的参数发生变化，从而达到手性检测的目的。 |
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