| 专利名称 | 在硅上集成HEMT器件的方法 | 申请号 | CN201310023631.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077892A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 在硅上集成HEMT器件的方法 至在硅上集成HEMT器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在硅上集成HEMT器件的方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法，在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在锗层上外延生长掺铁的半绝缘层；步骤4：在半绝缘层上生长缓冲层；步骤5：用MOCVD的方法，在缓冲层上生长半导体层；步骤6：在半导体层上生长高掺杂的帽层，形成基片；步骤7：采用湿法腐蚀的方法，在基片的两侧从基片的表面向下腐蚀出台面，腐蚀深度到达半绝缘层内；步骤8：在帽层上表面的两侧制作源极和漏极；步骤9：在帽层的中间刻蚀出沟槽，暴露出半导体层，在半导体层上淀积金属形成栅极，完成HEMT的制备。 |
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