| 专利名称 | 一种从工业硅中去除杂质的方法 | 申请号 | CN201210528381.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103030149A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 王志;张虎;胡磊 | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 专利有效期 | 一种从工业硅中去除杂质的方法 至一种从工业硅中去除杂质的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种从工业硅中去除杂质的方法。本发明的从工业硅中去除杂质的方法，包括以下步骤：1）将硅块经粉碎研磨后，筛分得到100~200目的硅粉；2）将硅粉水洗净化，加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液浸出；3）将处理后的硅粉加入到王水溶液中进行第二次浸出；4）将处理后的硅粉加入到氢氟酸溶液中进行第三次浸出；上述步骤2）、3）、4）顺序任意变换调整；5）将所得硅粉用纯净水洗涤至中性，最后干燥处理，获得提纯后的硅粉。本发明根据工业硅的杂质赋存形态和特点，优化选择酸介质的组合及其浓度，反应步骤等条件，在常规条件下将工业硅纯度提高至4N以上的纯度。 |
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