| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110311343.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050430A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;殷华湘;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。根据本发明实施例的半导体器件可以包括：衬底；位于所述衬底上的器件区；以及通过隔离结构与所述器件区分开的至少一个应力引入区，在所述至少一个应力引入区的至少一部分中引入了应力，其中，在所述至少一个应力引入区的至少一部分中引入的应力是通过利用激光照射包括在所述至少一个应力引入区中的非晶化的部分而使该非晶化的部分再结晶而产生的。根据本发明实施例的半导体器件以更为简单的方式产生了应力并由此改善了器件性能。 |
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