| 专利名称 | 在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法 | 申请号 | CN200910080918.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101847773A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王显泰;金智;吴旦昱 | 主分类号 | H01P11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01P11/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法 至在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，包括：选择衬底，在选择的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔底面的金属图形；淀积金属，剥离在底面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属底面；旋涂光刻胶，并光刻显影曝光，形成谐振腔侧壁的金属图形；淀积并剥离金属，形成谐振腔的金属侧壁；淀积或旋涂一层介质材料，并加热固化形成介质层；对形成的介质层进行刻蚀或腐蚀，直至露出谐振腔侧壁金属的上边沿；旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔顶面的金属图形；淀积金属，剥离在顶面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属顶面。利用本发明所制作的谐振腔适用与毫米波及更高频率的高品质振荡器。 |
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