| 专利名称 | 提高静电保护器件维持电压的方法 | 申请号 | CN201210048205.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569294A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 提高静电保护器件维持电压的方法 至提高静电保护器件维持电压的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高静电保护器件维持电压的方法，在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件，在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。 |
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