| 专利名称 | 一种MIS电容的制作方法 | 申请号 | CN201210075130.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569070A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;曹铎;贾婷婷;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/334(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/334(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MIS电容的制作方法 至一种MIS电容的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体在Si表面生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长HfLaO介质薄膜，并原位对所述HfLaO介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。采用氯苯溶液对光刻胶进行处理，可以修饰掉光刻胶边缘的毛刺使得后面的金属举离工艺更简单而精确。采用本方法制备的MIS电容有利于减少附加界面层的数量、减薄的界面层厚度和降低界面层的粗糙度，有利于抑制衬底和薄膜之间的元素扩散及减小等效栅氧厚度，有效的提高MIS电容的电学性能。 |
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